Ostaa IXFT320N10T2 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
IXFT320N10T2
- Osa numero:
- IXFT320N10T2
- Valmistaja:
- IXYS Corporation
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 100V 320A TO-26
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 17045 Pieces
- Tietolomake:
- IXFT320N10T2.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä IXFT320N10T2, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IXFT320N10T2 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | TO-268 |
| Sarja: | GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™ |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 3.5 mOhm @ 100A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 1000W (Tc) |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 8 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | IXFT320N10T2 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 26000pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 430nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 100V 320A (Tc) 1000W (Tc) Surface Mount TO-268 |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 100V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 100V 320A TO-26 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 320A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat IXFT320N10T2
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
SI7119DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 200V 3.8A 1212-8 | tiedustelu |
 |
IXFT30N50Q | IXYS | MOSFET N-CH 500V 30A TO-268 | tiedustelu |
 |
IRFBC40STRLPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK | tiedustelu |
|
IXFT32N50 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 32A TO-268 | tiedustelu |
 |
BSC032NE2LSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 22A TDSON-8 | tiedustelu |
|
IPB65R125C7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 | tiedustelu |
|
IXFT30N50Q3 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 30A TO-268 | tiedustelu |
|
IXFT30N50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 30A TO-268 D3 | tiedustelu |
|
IXFT30N50 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 30A TO-268 | tiedustelu |
|
IXFT30N60P | IXYS | MOSFET N-CH 600V 30A TO-268 D3 | tiedustelu |
 |
IXFT32N50Q | IXYS | MOSFET N-CH 500V 32A TO-268 | tiedustelu |
|
IXFT30N60Q | IXYS | MOSFET N-CH 600V 30A TO-268(D3) | tiedustelu |
 |
IRLIZ24G | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 14A TO220FP | tiedustelu |
 |
IXFT36N50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 36A TO-268 D3 | tiedustelu |
 |
IXFT36N60P | IXYS | MOSFET N-CH 600V 36A TO-268 D3 | tiedustelu |
|
IXFT340N075T2 | IXYS | MOSFET N-CH 75V 340A TO268 | tiedustelu |
 |
PHT4NQ10T,135 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 3.5A SOT223 | tiedustelu |
 |
IXFT30N85XHV | IXYS | MOSFET N-CH 850V 30A TO268-3 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers