Ostaa IXFT32N50Q BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 4.5V @ 4mA |
---|---|
Vgs (Max): | ±20V |
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | TO-268 |
Sarja: | HiPerFET™ |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 160 mOhm @ 16A, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 360W (Tc) |
Pakkaus: | Tube |
Pakkaus / Case: | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Valmistajan toimitusaika: | 8 Weeks |
Valmistajan osanumero: | IXFT32N50Q |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 4925pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 190nC @ 10V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 500V 32A (Tc) 360W (Tc) Surface Mount TO-268 |
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
Valua lähde jännite (Vdss): | 500V |
Kuvaus: | MOSFET N-CH 500V 32A TO-268 |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 32A (Tc) |
Email: | [email protected] |