NSVT65010MW6T1G
NSVT65010MW6T1G
Osa numero:
NSVT65010MW6T1G
Valmistaja:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Kuvaus:
TRANS 2PNP 65V 0.1A SC88-6
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
18418 Pieces
Tietolomake:
NSVT65010MW6T1G.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä NSVT65010MW6T1G, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma NSVT65010MW6T1G sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa NSVT65010MW6T1G BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max):65V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:650mV @ 5mA, 100mA
transistori tyyppi:2 PNP (Dual)
Toimittaja Device Package:SC-88 (SOT-363)
Sarja:-
Virta - Max:380mW
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Muut nimet:NSVT65010MW6T1GOSTR
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:4 Weeks
Valmistajan osanumero:NSVT65010MW6T1G
Taajuus - Siirtyminen:100MHz
Laajennettu kuvaus:Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 65V 100mA 100MHz 380mW Surface Mount SC-88 (SOT-363)
Kuvaus:TRANS 2PNP 65V 0.1A SC88-6
DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:220 @ 2mA, 5V
Nykyinen - Collector Cutoff (Max):15nA (ICBO)
Nykyinen - Collector (le) (Max):100mA
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit