NVMD6P02R2G
Osa numero:
NVMD6P02R2G
Valmistaja:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Kuvaus:
MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8-SOIC
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
12165 Pieces
Tietolomake:
NVMD6P02R2G.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä NVMD6P02R2G, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma NVMD6P02R2G sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa NVMD6P02R2G BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:1.2V @ 250µA
Toimittaja Device Package:8-SOIC
Sarja:-
RDS (Max) @ Id, Vgs:33 mOhm @ 6.2A, 4.5V
Virta - Max:750mW
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Käyttölämpötila:-
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:6 Weeks
Valmistajan osanumero:NVMD6P02R2G
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:1700pF @ 16V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:35nC @ 4.5V
FET tyyppi:2 P-Channel (Dual)
FET Ominaisuus:Logic Level Gate
Laajennettu kuvaus:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4.8A 750mW Surface Mount 8-SOIC
Valua lähde jännite (Vdss):20V
Kuvaus:MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8-SOIC
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:4.8A
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit