Ostaa RO 2BV BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
RO 2BV
- Osa numero:
- RO 2BV
- Valmistaja:
- Sanken Electric Co., Ltd.
- Kuvaus:
- DIODE GEN PURP 800V 1.2A AXIAL
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 12081 Pieces
- Tietolomake:
- 1.RO 2BV.pdf2.RO 2BV.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä RO 2BV, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma RO 2BV sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Jännite - Eteenpäin (Vf) (Max) @ Jos: | 920mV @ 1.5A |
|---|---|
| Jännite - DC Reverse (Vr) (Max): | 800V |
| Toimittaja Device Package: | - |
| Nopeus: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Sarja: | - |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | Axial |
| Muut nimet: | RO 2BV DK |
| Käyttölämpötila - liitäntä: | -40°C ~ 150°C |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 12 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | RO 2BV |
| Laajennettu kuvaus: | Diode Standard 800V 1.2A Through Hole |
| diodi Tyyppi: | Standard |
| Kuvaus: | DIODE GEN PURP 800V 1.2A AXIAL |
| Nykyinen - Käänteinen Vuoto @ Vr: | 10µA @ 800V |
| Nykyinen - Keskimääräinen Puhdistettu (Io): | 1.2A |
| Kapasitanssi @ Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat RO 2BV
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
SBR3U60P5-7 | Diodes Incorporated | DIODE SBR PDI5 | tiedustelu |
 |
MURH10060R | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 600V 100A D-67 | tiedustelu |
 |
RO 2V1 | Sanken | DIODE GEN PURP 400V 1.2A AXIAL | tiedustelu |
|
RO 2CV | Sanken | DIODE GEN PURP 1KV 1.2A AXIAL | tiedustelu |
 |
JAN1N4248 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL | tiedustelu |
 |
XBS304S19R-G | Torex Semiconductor Ltd | DIODE SCHOTTKY 40V 3A SMA | tiedustelu |
|
RO 2B | Sanken | DIODE GEN PURP 800V 1.2A AXIAL | tiedustelu |
|
RO 2 | Sanken | DIODE GEN PURP 400V 1.2A AXIAL | tiedustelu |
 |
FFPF06U150STU | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 1.5KV 6A TO220F | tiedustelu |
 |
EGP20AHE3/73 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 50V 2A DO204AC | tiedustelu |
 |
LSM190JE3/TR13 | Microsemi Corporation | DIODE SCHOTTKY 1A 90V SMAJ | tiedustelu |
|
RO 2BV1 | Sanken | DIODE GEN PURP 800V 1.2A AXIAL | tiedustelu |
 |
BAT54HT1G | ON Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD323 | tiedustelu |
|
RO 2CV1 | Sanken | DIODE GEN PURP 1KV 1.2A AXIAL | tiedustelu |
|
RO 2ZV | Sanken | DIODE GEN PURP 200V 1.2A AXIAL | tiedustelu |
|
RO 2V | Sanken | DIODE GEN PURP 400V 1.2A AXIAL | tiedustelu |
|
RO 2Z | Sanken | DIODE GEN PURP 200V 1.2A AXIAL | tiedustelu |
|
RO 2C | Sanken | DIODE GEN PURP 1KV 1.2A AXIAL | tiedustelu |
|
RO 2ZV1 | Sanken | DIODE GEN PURP 200V 1.2A AXIAL | tiedustelu |
 |
BYD13GGPHE3/54 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers