Ostaa RO 2C BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
RO 2C
- Osa numero:
- RO 2C
- Valmistaja:
- Sanken Electric Co., Ltd.
- Kuvaus:
- DIODE GEN PURP 1KV 1.2A AXIAL
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 16811 Pieces
- Tietolomake:
- 1.RO 2C.pdf2.RO 2C.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä RO 2C, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma RO 2C sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Jännite - Eteenpäin (Vf) (Max) @ Jos: | 920mV @ 1.5A |
|---|---|
| Jännite - DC Reverse (Vr) (Max): | 1000V (1kV) |
| Toimittaja Device Package: | - |
| Nopeus: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Sarja: | - |
| Pakkaus: | Bulk |
| Pakkaus / Case: | Axial |
| Muut nimet: | RO 2C DK |
| Käyttölämpötila - liitäntä: | -40°C ~ 150°C |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 12 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | RO 2C |
| Laajennettu kuvaus: | Diode Standard 1000V (1kV) 1.2A Through Hole |
| diodi Tyyppi: | Standard |
| Kuvaus: | DIODE GEN PURP 1KV 1.2A AXIAL |
| Nykyinen - Käänteinen Vuoto @ Vr: | 10µA @ 1000V |
| Nykyinen - Keskimääräinen Puhdistettu (Io): | 1.2A |
| Kapasitanssi @ Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat RO 2C
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
RO 2ZV | Sanken | DIODE GEN PURP 200V 1.2A AXIAL | tiedustelu |
|
RO 2BV | Sanken | DIODE GEN PURP 800V 1.2A AXIAL | tiedustelu |
|
RO 2CV1 | Sanken | DIODE GEN PURP 1KV 1.2A AXIAL | tiedustelu |
|
RO 2V | Sanken | DIODE GEN PURP 400V 1.2A AXIAL | tiedustelu |
 |
SL44HE3_A/I | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 40V 4A DO214AB | tiedustelu |
 |
20ETF08 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 800V 20A TO220AC | tiedustelu |
|
RO 2B | Sanken | DIODE GEN PURP 800V 1.2A AXIAL | tiedustelu |
|
RO 2CV | Sanken | DIODE GEN PURP 1KV 1.2A AXIAL | tiedustelu |
 |
MBR120ESFT3 | ON Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOD123L | tiedustelu |
|
RO 2Z | Sanken | DIODE GEN PURP 200V 1.2A AXIAL | tiedustelu |
|
RO 2BV1 | Sanken | DIODE GEN PURP 800V 1.2A AXIAL | tiedustelu |
 |
SRP300K-E3/54 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD | tiedustelu |
|
ES3B-M3/57T | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB | tiedustelu |
 |
FES10G | Fairchild/ON Semiconductor | 10A 400V ULTRA FAST RECTIFIER | tiedustelu |
|
RO 2 | Sanken | DIODE GEN PURP 400V 1.2A AXIAL | tiedustelu |
|
RO 2V1 | Sanken | DIODE GEN PURP 400V 1.2A AXIAL | tiedustelu |
 |
CUS10F30,H3F | Toshiba Semiconductor and Storage | DIODE SCHOTTKY 30V 1A USC | tiedustelu |
 |
NSB8MTHE3_A/P | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB | tiedustelu |
|
RO 2ZV1 | Sanken | DIODE GEN PURP 200V 1.2A AXIAL | tiedustelu |
 |
SIDC16D60SIC3 | Infineon Technologies | DIODE SCHOTTKY 600V 5A WAFER | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers