SI1902DL-T1-E3
Osa numero:
SI1902DL-T1-E3
Valmistaja:
Vishay / Siliconix
Kuvaus:
MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC70-6
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
13877 Pieces
Tietolomake:
SI1902DL-T1-E3.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä SI1902DL-T1-E3, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma SI1902DL-T1-E3 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa SI1902DL-T1-E3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:1.5V @ 250µA
Toimittaja Device Package:SC-70-6 (SOT-363)
Sarja:TrenchFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs:385 mOhm @ 660mA, 4.5V
Virta - Max:270mW
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Muut nimet:SI1902DL-T1-E3TR
SI1902DLT1E3
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:12 Weeks
Valmistajan osanumero:SI1902DL-T1-E3
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:1.2nC @ 4.5V
FET tyyppi:2 N-Channel (Dual)
FET Ominaisuus:Logic Level Gate
Laajennettu kuvaus:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 660mA 270mW Surface Mount SC-70-6 (SOT-363)
Valua lähde jännite (Vdss):20V
Kuvaus:MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC70-6
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:660mA
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit