Ostaa SI1902DL-T1-E3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 1.5V @ 250µA |
---|---|
Toimittaja Device Package: | SC-70-6 (SOT-363) |
Sarja: | TrenchFET® |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 385 mOhm @ 660mA, 4.5V |
Virta - Max: | 270mW |
Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
Pakkaus / Case: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Muut nimet: | SI1902DL-T1-E3TR SI1902DLT1E3 |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan toimitusaika: | 12 Weeks |
Valmistajan osanumero: | SI1902DL-T1-E3 |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 1.2nC @ 4.5V |
FET tyyppi: | 2 N-Channel (Dual) |
FET Ominaisuus: | Logic Level Gate |
Laajennettu kuvaus: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 660mA 270mW Surface Mount SC-70-6 (SOT-363) |
Valua lähde jännite (Vdss): | 20V |
Kuvaus: | MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC70-6 |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 660mA |
Email: | [email protected] |