Ostaa SI5980DU-T1-GE3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
SI5980DU-T1-GE3
- Osa numero:
- SI5980DU-T1-GE3
- Valmistaja:
- Vishay / Siliconix
- Kuvaus:
- MOSFET 2N-CH 100V 2.5A CHIPFET
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 16059 Pieces
- Tietolomake:
- SI5980DU-T1-GE3.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä SI5980DU-T1-GE3, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma SI5980DU-T1-GE3 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Toimittaja Device Package: | PowerPAK® ChipFet Dual |
| Sarja: | TrenchFET® |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 567 mOhm @ 400mA, 10V |
| Virta - Max: | 7.8W |
| Pakkaus: | Original-Reel® |
| Pakkaus / Case: | PowerPAK® ChipFET™ Dual |
| Muut nimet: | SI5980DU-T1-GE3DKR |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | SI5980DU-T1-GE3 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 78pF @ 50V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 3.3nC @ 10V |
| FET tyyppi: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Ominaisuus: | Standard |
| Laajennettu kuvaus: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 2.5A 7.8W Surface Mount PowerPAK® ChipFet Dual |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 100V |
| Kuvaus: | MOSFET 2N-CH 100V 2.5A CHIPFET |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 2.5A |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat SI5980DU-T1-GE3
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
FMM75-01F | IXYS | MOSFET 2N-CH 100V 75A I4-PAC-5 | tiedustelu |
 |
MP6M11TCR | Rohm Semiconductor | MOSFET N/P-CH 30V 3.5A MPT6 | tiedustelu |
 |
EPC2103ENGRT | EPC | TRANS GAN SYM HALF BRDG 80V | tiedustelu |
 |
APTC60HM70SCTG | Microsemi Corporation | MOSFET 4N-CH 600V 39A SP4 | tiedustelu |
 |
DMS3017SSD-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 30V 8A/6A 8SO | tiedustelu |
 |
VT6M1T2CR | Rohm Semiconductor | MOSFET N/P-CH 20V 0.1A VMT6 | tiedustelu |
 |
SI4830ADY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8-SOIC | tiedustelu |
 |
SI1024X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 20V 0.485A SC89-6 | tiedustelu |
 |
NTMFD4C88NT1G | ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 8DFN | tiedustelu |
 |
AOD607_001 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N/P-CH 30V TO252-4 | tiedustelu |
 |
UPA2672T1R-E2-AX | Renesas Electronics America | MOSFET 2P-CH 12V 4A 6HUSON | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers