SI5980DU-T1-GE3
SI5980DU-T1-GE3
Osa numero:
SI5980DU-T1-GE3
Valmistaja:
Vishay / Siliconix
Kuvaus:
MOSFET 2N-CH 100V 2.5A CHIPFET
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
16059 Pieces
Tietolomake:
SI5980DU-T1-GE3.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä SI5980DU-T1-GE3, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma SI5980DU-T1-GE3 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa SI5980DU-T1-GE3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Toimittaja Device Package:PowerPAK® ChipFet Dual
Sarja:TrenchFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs:567 mOhm @ 400mA, 10V
Virta - Max:7.8W
Pakkaus:Original-Reel®
Pakkaus / Case:PowerPAK® ChipFET™ Dual
Muut nimet:SI5980DU-T1-GE3DKR
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:SI5980DU-T1-GE3
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:78pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:3.3nC @ 10V
FET tyyppi:2 N-Channel (Dual)
FET Ominaisuus:Standard
Laajennettu kuvaus:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 2.5A 7.8W Surface Mount PowerPAK® ChipFet Dual
Valua lähde jännite (Vdss):100V
Kuvaus:MOSFET 2N-CH 100V 2.5A CHIPFET
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:2.5A
Email:sales@bychips.com

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit
Loading...