TPH3206PSB
Osa numero:
TPH3206PSB
Valmistaja:
Transphorm
Kuvaus:
GAN FET 650V 16A TO220
Saatavana oleva määrä:
18132 Pieces
Tietolomake:
TPH3206PSB.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä TPH3206PSB, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma TPH3206PSB sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa TPH3206PSB BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:2.6V @ 500µA
Vgs (Max):±18V
teknologia:GaNFET (Gallium Nitride)
Toimittaja Device Package:TO-220
Sarja:-
RDS (Max) @ Id, Vgs:180 mOhm @ 11A, 8V
Tehonkulutus (Max):81W (Tc)
Pakkaus / Case:TO-220-3
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Valmistajan toimitusaika:10 Weeks
Valmistajan osanumero:TPH3206PSB
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:760pF @ 480V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:9.3nC @ 4.5V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 650V 16A (Tc) 81W (Tc) Through Hole TO-220
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):-
Valua lähde jännite (Vdss):650V
Kuvaus:GAN FET 650V 16A TO220
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:16A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit