TPH3208LDG
TPH3208LDG
Osa numero:
TPH3208LDG
Valmistaja:
Transphorm
Kuvaus:
GAN FET 650V 20A PQFN88
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
15073 Pieces
Tietolomake:
TPH3208LDG.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä TPH3208LDG, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma TPH3208LDG sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa TPH3208LDG BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:2.6V @ 300µA
Vgs (Max):±18V
teknologia:GaNFET (Gallium Nitride)
Toimittaja Device Package:PQFN (8x8)
Sarja:-
RDS (Max) @ Id, Vgs:130 mOhm @ 13A, 8V
Tehonkulutus (Max):96W (Tc)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:3-PowerDFN
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):3 (168 Hours)
Valmistajan toimitusaika:10 Weeks
Valmistajan osanumero:TPH3208LDG
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:760pF @ 400V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:14nC @ 8V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 650V 20A (Tc) 96W (Tc) Surface Mount PQFN (8x8)
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):-
Valua lähde jännite (Vdss):650V
Kuvaus:GAN FET 650V 20A PQFN88
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:20A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit