Ostaa VUB116-16NOXT BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
VUB116-16NOXT
- Osa numero:
- VUB116-16NOXT
- Valmistaja:
- IXYS Corporation
- Kuvaus:
- DIODE BRIDGE 1600V 120A
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 19502 Pieces
- Tietolomake:
- VUB116-16NOXT.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä VUB116-16NOXT, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma VUB116-16NOXT sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Jännite - Peak Reverse (Max): | 1600V |
|---|---|
| Jännite - Eteenpäin (Vf) (Max) @ Jos: | 2.76V @ 30A |
| teknologia: | Standard |
| Toimittaja Device Package: | Module |
| Sarja: | - |
| Pakkaus: | Bulk |
| Pakkaus / Case: | Module |
| Käyttölämpötila: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Chassis Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | VUB116-16NOXT |
| Laajennettu kuvaus: | Bridge Rectifier Three Phase (Braking) 1600V 120A Chassis Mount Module |
| diodi Tyyppi: | Three Phase (Braking) |
| Kuvaus: | DIODE BRIDGE 1600V 120A |
| Nykyinen - Käänteinen Vuoto @ Vr: | 100µA @ 1600V |
| Nykyinen - Keskimääräinen Puhdistettu (Io): | 120A |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat VUB116-16NOXT
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
2KBP02M-M4/51 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GPP 2A 200V KBPM | tiedustelu |
 |
VUB116-16NO1 | IXYS | RECT BRIDGE 3PH 1600V 116A E2 | tiedustelu |
 |
KBJ401G | Diodes Incorporated | RECTIFIER BRIDGE GPP 100V 4A KBJ | tiedustelu |
 |
GBU604 | Diodes Incorporated | RECT BRIDGE GPP 400V 6A GBU | tiedustelu |
 |
GSIB2560-E3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE 25A 600V GSIB-5S | tiedustelu |
 |
DF10S-G | Comchip Technology | RECT BRIDGE GPP 1000V 1A DFS | tiedustelu |
 |
680-6 | Microsemi Corporation | DIODE STD REC 10A SMD | tiedustelu |
 |
DF04S | Diodes Incorporated | RECT BRIDGE SMD 400V 1A 4P DF-S | tiedustelu |
|
GBPC1208-E4/51 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE 1PH 12A 800V GBPC | tiedustelu |
 |
DF10S2 | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE BRIDGE 1000V 2A SDIP | tiedustelu |
 |
VUO34-18NO1 | IXYS | RECT BRIDGE 3PH 36A 1800V V1-A | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers