Sitä kutsutaan CUHS10F60: ksi, koska se on kehitetty 2,5 x 1,4 mm: n US2H-paketin (SOD-323HE) takia, sillä on lämpöteho 105 ° C / W. "Paketin lämpöresistanssia on vähennetty noin 50% tavanomaiseen USC-pakettiin verrattuna", sanoi yritys.

Verrattuna Toshiban aikaisempaan CUS04 Schottky-diodiin suurin käänteisvirta on vähentynyt noin 60%: lla - 40μA: iin.

Taaksepäin jännite on korkea Schottky - 60V piitä varten (yllä oleva vuoto mitataan tällä arvolla) - kun taas eteenpäin jännite on tyypillisesti 0.46V 500mA: n ja 0.56V: n välillä laitteen maksimivirrassa 1A.

Schottky on saatavana toimituskustannuksissa nyt.