1N8028-GA
1N8028-GA
Osa numero:
1N8028-GA
Valmistaja:
GeneSiC Semiconductor
Kuvaus:
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 9.4A TO257
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Sisältää lyijy / RoHS-yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
15363 Pieces
Tietolomake:
1N8028-GA.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä 1N8028-GA, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma 1N8028-GA sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa 1N8028-GA BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Jännite - Eteenpäin (Vf) (Max) @ Jos:1.6V @ 10A
Jännite - DC Reverse (Vr) (Max):1200V (1.2kV)
Toimittaja Device Package:TO-257
Nopeus:No Recovery Time > 500mA (Io)
Sarja:-
Käänteinen Recovery Time (TRR):0ns
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-257-3
Muut nimet:1242-1115
1N8028GA
Käyttölämpötila - liitäntä:-55°C ~ 250°C
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:18 Weeks
Valmistajan osanumero:1N8028-GA
Laajennettu kuvaus:Diode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 9.4A (DC) Through Hole TO-257
diodi Tyyppi:Silicon Carbide Schottky
Kuvaus:DIODE SCHOTTKY 1.2KV 9.4A TO257
Nykyinen - Käänteinen Vuoto @ Vr:20µA @ 1200V
Nykyinen - Keskimääräinen Puhdistettu (Io):9.4A (DC)
Kapasitanssi @ Vr, F:884pF @ 1V, 1MHz
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit