Ostaa 1N8033-GA BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
| Jännite - Eteenpäin (Vf) (Max) @ Jos: | 1.65V @ 5A |
|---|---|
| Jännite - DC Reverse (Vr) (Max): | 650V |
| Toimittaja Device Package: | TO-276 |
| Nopeus: | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Sarja: | - |
| Käänteinen Recovery Time (TRR): | 0ns |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | TO-276AA |
| Muut nimet: | 1242-1120 1N8033GA |
| Käyttölämpötila - liitäntä: | -55°C ~ 250°C |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 18 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | 1N8033-GA |
| Laajennettu kuvaus: | Diode Silicon Carbide Schottky 650V 4.3A (DC) Surface Mount TO-276 |
| diodi Tyyppi: | Silicon Carbide Schottky |
| Kuvaus: | DIODE SCHOTTKY 650V 4.3A TO276 |
| Nykyinen - Käänteinen Vuoto @ Vr: | 5µA @ 650V |
| Nykyinen - Keskimääräinen Puhdistettu (Io): | 4.3A (DC) |
| Kapasitanssi @ Vr, F: | 274pF @ 1V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |