2N5302G
2N5302G
Osa numero:
2N5302G
Valmistaja:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Kuvaus:
TRANS NPN 60V 30A TO3
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
14832 Pieces
Tietolomake:
2N5302G.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä 2N5302G, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma 2N5302G sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa 2N5302G BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max):60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:3V @ 6A, 30A
transistori tyyppi:NPN
Toimittaja Device Package:TO-3
Sarja:-
Virta - Max:200W
Pakkaus:Tray
Pakkaus / Case:TO-204AA, TO-3
Muut nimet:2N5302GOS
Käyttölämpötila:-65°C ~ 200°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:2 Weeks
Valmistajan osanumero:2N5302G
Taajuus - Siirtyminen:2MHz
Laajennettu kuvaus:Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 30A 2MHz 200W Through Hole TO-3
Kuvaus:TRANS NPN 60V 30A TO3
DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:15 @ 15A, 2V
Nykyinen - Collector Cutoff (Max):5mA
Nykyinen - Collector (le) (Max):30A
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit