Ostaa 2N7002BKM,315 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
2N7002BKM,315
- Osa numero:
- 2N7002BKM,315
- Valmistaja:
- Nexperia
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 60V 450MA SOT883
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 19427 Pieces
- Tietolomake:
- 2N7002BKM,315.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä 2N7002BKM,315, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma 2N7002BKM,315 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.1V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | DFN1006-3 |
| Sarja: | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 1.6 Ohm @ 500mA, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 360mW (Ta) |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | SC-101, SOT-883 |
| Muut nimet: | 1727-4785-2 2N7002BKM,315-ND 2N7002BKM315 568-5976-2 568-5976-2-ND 934064287315 |
| Käyttölämpötila: | 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | 2N7002BKM,315 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 50pF @ 10V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 0.6nC @ 4.5V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 60V 450mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount DFN1006-3 |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 60V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 60V 450MA SOT883 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 450mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat 2N7002BKM,315
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
2N7002BKMB,315 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 60V 450MA 3DFN | tiedustelu |
 |
2N7002PV,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT-666 | tiedustelu |
 |
2N7002BKW,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 60V 310MA SOT323 | tiedustelu |
 |
2N7002PS,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP | tiedustelu |
 |
2N7002CK,215 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 60V 0.3A SOT-23 | tiedustelu |
|
2N7002P,215 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 60V 0.36A SOT-23 | tiedustelu |
|
2N7002P,235 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 60V 0.36A SOT-23 | tiedustelu |
|
2N7002BK,215 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 60V 350MA SOT23 | tiedustelu |
|
2N7002,215 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23 | tiedustelu |
|
2N7002PS,125 | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP | tiedustelu |
|
2N7002PW,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 60V 0.31A SOT323 | tiedustelu |
|
2N7002BKV,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2N-CH 60V 0.34A SOT666 | tiedustelu |
|
2N7002BKS,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2N-CH 60V 0.3A 6TSSOP | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog