2SB1121S-TD-E
2SB1121S-TD-E
Osa numero:
2SB1121S-TD-E
Valmistaja:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Kuvaus:
TRANS PNP 25V 2A SOT89-3
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
18901 Pieces
Tietolomake:
2SB1121S-TD-E.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä 2SB1121S-TD-E, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma 2SB1121S-TD-E sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa 2SB1121S-TD-E BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max):25V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:600mV @ 75mA, 1.5A
transistori tyyppi:PNP
Toimittaja Device Package:PCP
Sarja:-
Virta - Max:500mW
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:TO-243AA
Käyttölämpötila:150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:4 Weeks
Valmistajan osanumero:2SB1121S-TD-E
Taajuus - Siirtyminen:150MHz
Laajennettu kuvaus:Bipolar (BJT) Transistor PNP 25V 2A 150MHz 500mW Surface Mount PCP
Kuvaus:TRANS PNP 25V 2A SOT89-3
DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:100 @ 100mA, 2V
Nykyinen - Collector Cutoff (Max):100nA (ICBO)
Nykyinen - Collector (le) (Max):2A
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit