2SB1201S-E
Osa numero:
2SB1201S-E
Valmistaja:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Kuvaus:
TRANS PNP 50V 2A TP-FA
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
18788 Pieces
Tietolomake:
2SB1201S-E.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä 2SB1201S-E, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma 2SB1201S-E sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa 2SB1201S-E BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max):50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:700mV @ 50mA, 1A
transistori tyyppi:PNP
Toimittaja Device Package:2-TP-FA
Sarja:-
Virta - Max:800mW
Pakkaus:Bulk
Pakkaus / Case:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Käyttölämpötila:150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:2 Weeks
Valmistajan osanumero:2SB1201S-E
Taajuus - Siirtyminen:150MHz
Laajennettu kuvaus:Bipolar (BJT) Transistor PNP 50V 2A 150MHz 800mW Surface Mount 2-TP-FA
Kuvaus:TRANS PNP 50V 2A TP-FA
DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:140 @ 100mA, 2V
Nykyinen - Collector Cutoff (Max):100nA (ICBO)
Nykyinen - Collector (le) (Max):2A
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit