2SD1815S-TL-E
Osa numero:
2SD1815S-TL-E
Valmistaja:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Kuvaus:
TRANS NPN 100V 3A TP-FA
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
12096 Pieces
Tietolomake:
2SD1815S-TL-E.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä 2SD1815S-TL-E, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma 2SD1815S-TL-E sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa 2SD1815S-TL-E BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max):100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:400mV @ 150mA, 1.5A
transistori tyyppi:NPN
Toimittaja Device Package:2-TP-FA
Sarja:-
Virta - Max:1W
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Muut nimet:2SD1815S-TL-E-ND
2SD1815S-TL-EOSTR
Käyttölämpötila:150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:2 Weeks
Valmistajan osanumero:2SD1815S-TL-E
Taajuus - Siirtyminen:180MHz
Laajennettu kuvaus:Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 3A 180MHz 1W Surface Mount 2-TP-FA
Kuvaus:TRANS NPN 100V 3A TP-FA
DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:70 @ 500mA, 5V
Nykyinen - Collector Cutoff (Max):1µA (ICBO)
Nykyinen - Collector (le) (Max):3A
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit