Ostaa 2SK3666-3-TB-E BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
2SK3666-3-TB-E
- Osa numero:
- 2SK3666-3-TB-E
- Valmistaja:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Kuvaus:
- JFET N-CH 10MA 200MW 3CP
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 12552 Pieces
- Tietolomake:
- 2SK3666-3-TB-E.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä 2SK3666-3-TB-E, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma 2SK3666-3-TB-E sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Jännite - Cutoff (VGS off) @ Id: | 180mV @ 1µA |
|---|---|
| Toimittaja Device Package: | 3-CP |
| Sarja: | - |
| Resistance - RDS (On): | 200 Ohm |
| Virta - Max: | 200mW |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Muut nimet: | 2SK36663TBE 869-1107-2 |
| Käyttölämpötila: | 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 4 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | 2SK3666-3-TB-E |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 4pF @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| Laajennettu kuvaus: | JFET N-Channel 1.2mA @ 10V 200mW Surface Mount 3-CP |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 30V |
| Kuvaus: | JFET N-CH 10MA 200MW 3CP |
| Nykyinen Drain (Id) - Max: | 10mA |
| Nykyinen - Drain (IDSs) @ Vds (Vgs = 0): | 1.2mA @ 10V |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat 2SK3666-3-TB-E
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
2SK3666-2-TB-E | ON Semiconductor | JFET NCH 30V 200MW 3CP | tiedustelu |
 |
2N3821 | Microsemi Corporation | N CHANNEL JFET | tiedustelu |
|
2SK3666-4-TB-E | ON Semiconductor | JFET N-CH 30V 0.2W CP | tiedustelu |
|
MX2N4393 | Microsemi Corporation | N CHANNEL JFET | tiedustelu |
 |
P1087_D74Z | Fairchild/ON Semiconductor | JFET P-CH 30V 0.35W TO92 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog