2SK4124-1E
2SK4124-1E
Osa numero:
2SK4124-1E
Valmistaja:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Kuvaus:
MOSFET N-CH 500V 20A
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
16992 Pieces
Tietolomake:
2SK4124-1E.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä 2SK4124-1E, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma 2SK4124-1E sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa 2SK4124-1E BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:-
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:TO-3P-3L
Sarja:-
RDS (Max) @ Id, Vgs:430 mOhm @ 8A, 10V
Tehonkulutus (Max):2.5W (Ta), 170W (Tc)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-3P-3, SC-65-3
Käyttölämpötila:150°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:2SK4124-1E
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:1200pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:46.6nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 500V 20A (Ta) 2.5W (Ta), 170W (Tc) Through Hole TO-3P-3L
Valua lähde jännite (Vdss):500V
Kuvaus:MOSFET N-CH 500V 20A
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:20A (Ta)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit