Ostaa 2W08G BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
2W08G
- Osa numero:
- 2W08G
- Valmistaja:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Kuvaus:
- DIODE BRIDGE GPP 2.0A 800V WOB
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 16927 Pieces
- Tietolomake:
- 2W08G.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä 2W08G, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma 2W08G sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Jännite - Peak Reverse (Max): | 800V |
|---|---|
| Jännite - Eteenpäin (Vf) (Max) @ Jos: | 1.1V @ 2A |
| teknologia: | Standard |
| Toimittaja Device Package: | WOB |
| Sarja: | - |
| Pakkaus: | Bulk |
| Pakkaus / Case: | 4-Circular, WOB |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | 2W08G |
| Laajennettu kuvaus: | Bridge Rectifier Single Phase 800V 2A Through Hole WOB |
| diodi Tyyppi: | Single Phase |
| Kuvaus: | DIODE BRIDGE GPP 2.0A 800V WOB |
| Nykyinen - Käänteinen Vuoto @ Vr: | 5µA @ 800V |
| Nykyinen - Keskimääräinen Puhdistettu (Io): | 2A |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat 2W08G
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
MB251-F | Diodes Incorporated | RECTIFIER BRIDGE 100V 25A MB | tiedustelu |
 |
SET121223 | Semtech Corporation | RECT BRIDGE 500V 20A SFAST | tiedustelu |
 |
DBG250G | ON Semiconductor | DIODE BRIDGE 1PH 25A 600V 4SIP | tiedustelu |
 |
RB153 | Micro Commercial Co | RECTIFIER BRIDGE 1.5A 200V RB-15 | tiedustelu |
 |
BU1206-M3/51 | Vishay Semiconductor Diodes Division | RECTIFIER BRIDGE 600V 12A BU | tiedustelu |
 |
GBL08-M3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | BRIDGE RECT 4A GPP 800V GBL | tiedustelu |
 |
KBU8A | Fairchild/ON Semiconductor | IC BRIDGE RECT 8A 50V KBU | tiedustelu |
 |
DF005S-E3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GPP 1A 50V 4SMD | tiedustelu |
|
VS-130MT100KPBF | Vishay Semiconductor Diodes Division | IC BRIDGE 3PH 1000V 130A MTK | tiedustelu |
 |
GBU6G | GeneSiC Semiconductor | DIODE BRIDGE 400V 6A GBU | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers