Ostaa 3N254-E4/45 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
3N254-E4/45
- Osa numero:
- 3N254-E4/45
- Valmistaja:
- Vishay / Semiconductor - Diodes Division
- Kuvaus:
- DIODE BRIDGE 2A 100V 4SIP
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 18486 Pieces
- Tietolomake:
- 1.3N254-E4/45.pdf2.3N254-E4/45.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä 3N254-E4/45, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma 3N254-E4/45 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Jännite - Peak Reverse (Max): | 100V |
|---|---|
| Jännite - Eteenpäin (Vf) (Max) @ Jos: | 1.1V @ 3.14A |
| teknologia: | Standard |
| Toimittaja Device Package: | KBPM |
| Sarja: | - |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | 4-SIP, KBPM |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 165°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | 3N254-E4/45 |
| Laajennettu kuvaus: | Bridge Rectifier Single Phase 100V 2A Through Hole KBPM |
| diodi Tyyppi: | Single Phase |
| Kuvaus: | DIODE BRIDGE 2A 100V 4SIP |
| Nykyinen - Käänteinen Vuoto @ Vr: | 5µA @ 100V |
| Nykyinen - Keskimääräinen Puhdistettu (Io): | 2A |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat 3N254-E4/45
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
RB153-BP | Micro Commercial Co | RECTIFIER BRIDGE 1.5A 200V RB-15 | tiedustelu |
 |
3N254-E4/51 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE BRIDGE 2A 100V 4SIP | tiedustelu |
 |
GBPC3510-BP | Micro Commercial Co | BRIDGE RECT 35A 1KV GBPC | tiedustelu |
 |
CBRLD1-02 TR13 | Central Semiconductor Corp | RECT BRIDGE 1A 200V 4LPDIP | tiedustelu |
 |
MB358W | Diodes Incorporated | RECTIFIER BRIDGE 35A 800V MB-35 | tiedustelu |
 |
B6S-HF | Comchip Technology | DIODE BRIDGE 600V 0.8A MBS | tiedustelu |
 |
3N254-M4/51 | Vishay Semiconductor Diodes Division | RECT BRIDGE 1PHASE 100V 2A KBPM | tiedustelu |
 |
MB2S-E3/80 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE BRIDGE 0.5A TO-269AA | tiedustelu |
|
3N249-E4/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE BRIDGE 1.5A 400V KBPM | tiedustelu |
 |
VBO65-16NO7 | IXYS | DIODE BRIDGE 1600V 65A FO-T-A | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog