Ostaa 3SK292(TE85R,F) BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
3SK292(TE85R,F)
- Osa numero:
- 3SK292(TE85R,F)
- Valmistaja:
- Toshiba Semiconductor
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 12.5 30MA SMQ
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 16902 Pieces
- Tietolomake:
- 3SK292(TE85R,F).pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä 3SK292(TE85R,F), meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma 3SK292(TE85R,F) sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Jännite - Testi: | 6V |
|---|---|
| Jännite - Rated: | 12.5V |
| transistori tyyppi: | N-Channel Dual Gate |
| Toimittaja Device Package: | SMQ |
| Sarja: | - |
| Virta - Output: | - |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | SC-61AA |
| Muut nimet: | 3SK292 (TE85R,F) 3SK292(TE85RF)TR |
| Noise Kuva: | 1.4dB |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | 3SK292(TE85R,F) |
| Saada: | 26dB |
| Taajuus: | 500MHz |
| Laajennettu kuvaus: | RF Mosfet N-Channel Dual Gate 6V 10mA 500MHz 26dB SMQ |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 12.5 30MA SMQ |
| Nykyinen arvostelu: | 30mA |
| Nykyinen - Testi: | 10mA |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat 3SK292(TE85R,F)
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
PTFB072707FHV1R250XTMA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS | tiedustelu |
 |
AFT09S220-02NR3 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS | tiedustelu |
 |
CLF1G0035S-100,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET HEMT 150V 12DB SOT467B | tiedustelu |
 |
BF908R,235 | NXP USA Inc. | MOSFET DUAL GATE 12V 40MA SOT143 | tiedustelu |
 |
PTFA091201HL V1 R250 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 120W PG-64248-2 | tiedustelu |
 |
3SK294(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | FET RF 12.5V 500MHZ USQ | tiedustelu |
 |
3SK291(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH SMQ | tiedustelu |
 |
BLF6G05LS-200RN,11 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 24DB SOT502B | tiedustelu |
 |
CGHV14800F | Cree/Wolfspeed | 800-W 1200-1400-MHZ GAN HEMT | tiedustelu |
 |
MRF1535FNT1 | NXP USA Inc. | IC MOSFET RF N-CHAN TO272-6 | tiedustelu |
 |
MRF6P27160HR6 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 2.66GHZ NI-1230 | tiedustelu |
|
3SK293(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | FET RF 12.5V 800MHZ USQ | tiedustelu |
 |
MRF7S18125BHR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.93GHZ NI780 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog