Ostaa A2I08H040GNR1 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
A2I08H040GNR1
- Osa numero:
- A2I08H040GNR1
- Valmistaja:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Kuvaus:
- IC RF LDMOS AMP
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 18222 Pieces
- Tietolomake:
- A2I08H040GNR1.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä A2I08H040GNR1, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma A2I08H040GNR1 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Jännite - Testi: | 28V |
|---|---|
| Jännite - Rated: | 65V |
| transistori tyyppi: | LDMOS (Dual) |
| Toimittaja Device Package: | TO-270WBG-15 |
| Sarja: | - |
| Virta - Output: | 9W |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | TO-270-15 Variant, Gull Wing |
| Muut nimet: | 935320823528 |
| Noise Kuva: | - |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 10 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | A2I08H040GNR1 |
| Saada: | 30.7dB |
| Taajuus: | 920MHz |
| Laajennettu kuvaus: | RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 25mA 920MHz 30.7dB 9W TO-270WBG-15 |
| Kuvaus: | IC RF LDMOS AMP |
| Nykyinen arvostelu: | - |
| Nykyinen - Testi: | 25mA |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat A2I08H040GNR1
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
PTFB193408SVV1XWSA1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS H-34275G-6/2 | tiedustelu |
 |
BLF2425M7L250P,118 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 15DB SOT539A | tiedustelu |
 |
BLF878,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 89V 21DB SOT979A | tiedustelu |
 |
BLF6G27-135,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V SOT502A | tiedustelu |
 |
NE3514S02-T1C-A | CEL | HJ-FET NCH 10DB S02 | tiedustelu |
 |
A2I08H040NR1 | NXP USA Inc. | IC RF LDMOS AMP | tiedustelu |
 |
MRF6V13250HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 120V 1.3GHZ NI780S | tiedustelu |
|
MRF9045LSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 945MHZ NI-360S | tiedustelu |
|
PTRA093302DC V1 R250 | Infineon Technologies | IC RF FET LDMOS 330W H-49248H-4 | tiedustelu |
 |
NE3515S02-T1D-A | CEL | FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02 | tiedustelu |
|
PTFC270051MV2R1KXUMA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS | tiedustelu |
 |
BLF647P,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1121A | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog