Ostaa AFT09S200W02GNR3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
AFT09S200W02GNR3
- Osa numero:
- AFT09S200W02GNR3
- Valmistaja:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Kuvaus:
- FET RF 70V 960MHZ PLD
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 12225 Pieces
- Tietolomake:
- AFT09S200W02GNR3.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä AFT09S200W02GNR3, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma AFT09S200W02GNR3 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Jännite - Testi: | 28V |
|---|---|
| Jännite - Rated: | 70V |
| transistori tyyppi: | LDMOS |
| Toimittaja Device Package: | OM-780-2 |
| Sarja: | - |
| Virta - Output: | 56W |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | OM-780-2 |
| Muut nimet: | 935320369528 |
| Noise Kuva: | - |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Valmistajan toimitusaika: | 10 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | AFT09S200W02GNR3 |
| Saada: | 19.2dB |
| Taajuus: | 960MHz |
| Laajennettu kuvaus: | RF Mosfet LDMOS 28V 1.4A 960MHz 19.2dB 56W OM-780-2 |
| Kuvaus: | FET RF 70V 960MHZ PLD |
| Nykyinen arvostelu: | - |
| Nykyinen - Testi: | 1.4A |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat AFT09S200W02GNR3
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
AFT09S200W02NR3 | NXP USA Inc. | FET RF 70V 960MHZ PLD | tiedustelu |
 |
AFT09MP055GNR1 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 40V 870MHZ TO-270 | tiedustelu |
 |
AFT09MP055NR1 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 40V 870MHZ TO-270 | tiedustelu |
|
AFT09S200W02SR3 | NXP USA Inc. | TRANSISTOR RF LDMOS 4W PLD | tiedustelu |
|
AFT09H310-03SR6 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 70V 920MHZ NI1230S-4S | tiedustelu |
|
AFT09MS031GNR1 | NXP USA Inc. | FET RF 40V 870MHZ TO270-2G | tiedustelu |
|
AFT09S220-02NR3 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS | tiedustelu |
|
AFT09S282NR3 | NXP USA Inc. | FET RF 70V 960MHZ OM-780-2 | tiedustelu |
 |
AFT09MS007NT1 | NXP USA Inc. | FET RF 30V 870MHZ PLD1.5W | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog