Ostaa AFV121KHSR5 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
AFV121KHSR5
- Osa numero:
- AFV121KHSR5
- Valmistaja:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Kuvaus:
- IC TRANS RF LDMOS
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 13134 Pieces
- Tietolomake:
- AFV121KHSR5.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä AFV121KHSR5, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma AFV121KHSR5 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Jännite - Testi: | 50V |
|---|---|
| Jännite - Rated: | 112V |
| transistori tyyppi: | LDMOS (Dual) |
| Toimittaja Device Package: | NI-1230-4S |
| Sarja: | - |
| Virta - Output: | 1000W |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | NI-1230-4S |
| Muut nimet: | 935320778178 |
| Noise Kuva: | - |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Valmistajan toimitusaika: | 10 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | AFV121KHSR5 |
| Saada: | 19.6dB |
| Taajuus: | 960MHz ~ 1.22GHz |
| Laajennettu kuvaus: | RF Mosfet LDMOS (Dual) 50V 100mA 960MHz ~ 1.22GHz 19.6dB 1000W NI-1230-4S |
| Kuvaus: | IC TRANS RF LDMOS |
| Nykyinen arvostelu: | - |
| Nykyinen - Testi: | 100mA |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat AFV121KHSR5
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
MRF8VP13350GNR3 | NXP USA Inc. | TRANS RF LDMOS 350W 50V | tiedustelu |
 |
BLF8G20LS-220J | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 18.9DB SOT502B | tiedustelu |
 |
AFV121KGSR5 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS | tiedustelu |
 |
AFV121KHR5 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS | tiedustelu |
 |
MRF7S15100HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.51GHZ NI780 | tiedustelu |
 |
BLF278/01,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET 2 NC 125V 22DB SOT262A1 | tiedustelu |
 |
NE5550234-AZ | CEL | FET RF 30V 900MHZ 3MINIMOLD | tiedustelu |
 |
NE4210S01 | CEL | HJ-FET 13DB S01 | tiedustelu |
|
MRF9045NBR1 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 945MHZ TO272-2 | tiedustelu |
 |
PTFA071701EV4R250XTMA1 | Infineon Technologies | FET RF LDMOS 170W H36248-2 | tiedustelu |
|
PTFA212401E V4 | Infineon Technologies | FET RF 65V 2.14GHZ H-36260-2 | tiedustelu |
 |
BLS7G2730L-200PU | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 12DB SOT539A | tiedustelu |
 |
BLC8G27LS-210PVZ | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT12513 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers