Ostaa AON3611 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
AON3611
- Osa numero:
- AON3611
- Valmistaja:
- Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
- Kuvaus:
- MOSFET N/P-CH 30V 5A/6A 8DFN
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 18638 Pieces
- Tietolomake:
- 1.AON3611.pdf2.AON3611.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä AON3611, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma AON3611 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 250µA |
|---|---|
| Toimittaja Device Package: | 8-DFN (2.9x2.3) |
| Sarja: | - |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 50 mOhm @ 5A, 10V |
| Virta - Max: | 2.1W, 2.5W |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | 8-SMD, Flat Lead |
| Muut nimet: | AON3611-ND |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 16 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | AON3611 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 170pF @ 15V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 10nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N and P-Channel, Common Drain |
| FET Ominaisuus: | Logic Level Gate |
| Laajennettu kuvaus: | Mosfet Array N and P-Channel, Common Drain 30V 5A, 6A 2.1W, 2.5W Surface Mount 8-DFN (2.9x2.3) |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 30V |
| Kuvaus: | MOSFET N/P-CH 30V 5A/6A 8DFN |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 5A, 6A |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat AON3611
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
AON3613 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N/P-CH 30V 4.5A 8DFN | tiedustelu |
 |
DMN5L06DWK-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 50V 0.305A SOT-363 | tiedustelu |
 |
NTMD5838NLR2G | ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 40V 7.4A 8SOIC | tiedustelu |
 |
SSM6N48FU,RF | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET 2N-CH 30V 0.1A 2-2J1C | tiedustelu |
 |
APTC60AM45BC1G | Microsemi Corporation | MOSFET 3N-CH 600V 49A SP1 | tiedustelu |
 |
SP8M3FU6TB | Rohm Semiconductor | MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8SOIC | tiedustelu |
 |
IPG20N04S4L08ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 8TDSON | tiedustelu |
 |
IRF7750 | Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8-TSSOP | tiedustelu |
 |
APTC90DDA12T1G | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 900V 30A SP1 | tiedustelu |
|
APTM10DSKM09T3G | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 100V 139A SP3 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog