AOT10T60P
Osa numero:
AOT10T60P
Valmistaja:
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Kuvaus:
MOSFET N-CH 600V TO-220
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
18774 Pieces
Tietolomake:
AOT10T60P.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä AOT10T60P, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma AOT10T60P sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa AOT10T60P BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:TO-220
Sarja:-
RDS (Max) @ Id, Vgs:700 mOhm @ 5A, 10V
Tehonkulutus (Max):208W (Tc)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-220-3
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:AOT10T60P
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:1595pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:40nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 600V 10A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-220
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):10V
Valua lähde jännite (Vdss):600V
Kuvaus:MOSFET N-CH 600V TO-220
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:10A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit