Ostaa AOV15S60 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 3.8V @ 250µA |
---|---|
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | 4-DFN-EP (8x8) |
Sarja: | aMOS™ |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 360 mOhm @ 7.5A, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 8.3W (Ta), 208W (Tc) |
Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
Pakkaus / Case: | 4-VSFN Exposed Pad |
Muut nimet: | 785-1684-2 |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 3 (168 Hours) |
Valmistajan toimitusaika: | 16 Weeks |
Valmistajan osanumero: | AOV15S60 |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 717pF @ 100V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 15.6nC @ 10V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 600V 520mA (Ta), 12A (Tc) 8.3W (Ta), 208W (Tc) Surface Mount 4-DFN-EP (8x8) |
Valua lähde jännite (Vdss): | 600V |
Kuvaus: | MOSFET N-CH 600V 0.52A 5-DFN |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 520mA (Ta), 12A (Tc) |
Email: | [email protected] |