APT13GP120BDQ1G
APT13GP120BDQ1G
Osa numero:
APT13GP120BDQ1G
Valmistaja:
Microsemi
Kuvaus:
IGBT 1200V 41A 250W TO247
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
13542 Pieces
Tietolomake:
1.APT13GP120BDQ1G.pdf2.APT13GP120BDQ1G.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä APT13GP120BDQ1G, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma APT13GP120BDQ1G sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa APT13GP120BDQ1G BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max):1200V
Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic:3.9V @ 15V, 13A
Testaa kunto:600V, 13A, 5 Ohm, 15V
Td (päällä / pois) @ 25 ° C:9ns/28ns
Switching Energy:115µJ (on), 165µJ (off)
Toimittaja Device Package:TO-247 [B]
Sarja:POWER MOS 7®
Virta - Max:250W
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-247-3
Muut nimet:APT13GP120BDQ1GMI
APT13GP120BDQ1GMI-ND
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:22 Weeks
Valmistajan osanumero:APT13GP120BDQ1G
Syötetyyppi:Standard
IGBT Tyyppi:PT
Gate Charge:55nC
Laajennettu kuvaus:IGBT PT 1200V 41A 250W Through Hole TO-247 [B]
Kuvaus:IGBT 1200V 41A 250W TO247
Nykyinen - Collector Pulssi (ICM):50A
Nykyinen - Collector (le) (Max):41A
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit