Ostaa APT75GN120LG BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
APT75GN120LG
- Osa numero:
- APT75GN120LG
- Valmistaja:
- Microsemi
- Kuvaus:
- IGBT 1200V 200A 833W TO264
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 18941 Pieces
- Tietolomake:
- APT75GN120LG.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä APT75GN120LG, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma APT75GN120LG sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max): | 1200V |
|---|---|
| Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: | 2.1V @ 15V, 75A |
| Testaa kunto: | 800V, 75A, 1 Ohm, 15V |
| Td (päällä / pois) @ 25 ° C: | 60ns/620ns |
| Switching Energy: | 8620µJ (on), 11400µJ (off) |
| Toimittaja Device Package: | TO-264 [L] |
| Sarja: | - |
| Virta - Max: | 833W |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | TO-264-3, TO-264AA |
| Muut nimet: | APT75GN120LGMI APT75GN120LGMI-ND |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 22 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | APT75GN120LG |
| Syötetyyppi: | Standard |
| IGBT Tyyppi: | Trench Field Stop |
| Gate Charge: | 425nC |
| Laajennettu kuvaus: | IGBT Trench Field Stop 1200V 200A 833W Through Hole TO-264 [L] |
| Kuvaus: | IGBT 1200V 200A 833W TO264 |
| Nykyinen - Collector Pulssi (ICM): | 225A |
| Nykyinen - Collector (le) (Max): | 200A |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat APT75GN120LG
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
APT75GP120JDQ3 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 128A 543W SOT227 | tiedustelu |
|
APT75GT120JU2 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 100A 416W SOT227 | tiedustelu |
 |
APT75GN60B2DQ3G | Microsemi Corporation | IGBT 600V 155A 536W TO264 | tiedustelu |
|
APT75GN120JDQ3 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 124A 379W SOT227 | tiedustelu |
 |
APT75DL120HJ | Microsemi Corporation | MOD DIODE 1200V SOT-227 | tiedustelu |
 |
APT75M50B2 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 75A T-MAX | tiedustelu |
|
APT75GN120J | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 124A 379W SOT227 | tiedustelu |
|
APT75GN120JDQ3G | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 124A 379W SOT227 | tiedustelu |
|
APT75GN120B2G | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 200A 833W TMAX | tiedustelu |
|
APT75F50L | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 75A TO-264 | tiedustelu |
 |
APT75DQ60BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 75A TO247 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog