Ostaa AUIRFS8407 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 150µA |
---|---|
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | D2PAK |
Sarja: | HEXFET® |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 1.8 mOhm @ 100A, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 230W (Tc) |
Pakkaus: | Tube |
Pakkaus / Case: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Muut nimet: | IRAUIRFS8407 IRAUIRFS8407-ND SP001520236 |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan toimitusaika: | 10 Weeks |
Valmistajan osanumero: | AUIRFS8407 |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 7330pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 225nC @ 10V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 40V 195A (Tc) 230W (Tc) Surface Mount D2PAK |
Valua lähde jännite (Vdss): | 40V |
Kuvaus: | MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 195A (Tc) |
Email: | [email protected] |