Ostaa B80C800DM-E3/45 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
B80C800DM-E3/45
- Osa numero:
- B80C800DM-E3/45
- Valmistaja:
- Vishay / Semiconductor - Diodes Division
- Kuvaus:
- DIODE BRIDGE 0.9A 125V 6DIP
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 12034 Pieces
- Tietolomake:
- 1.B80C800DM-E3/45.pdf2.B80C800DM-E3/45.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä B80C800DM-E3/45, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma B80C800DM-E3/45 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Jännite - Peak Reverse (Max): | 125V |
|---|---|
| Jännite - Eteenpäin (Vf) (Max) @ Jos: | 1V @ 900mA |
| teknologia: | Standard |
| Toimittaja Device Package: | DFM |
| Sarja: | - |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | 4-EDIP (0.300", 7.62mm) |
| Muut nimet: | B80C800DM-E3/45-ND B80C800DM-E3/45GI |
| Käyttölämpötila: | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 24 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | B80C800DM-E3/45 |
| Laajennettu kuvaus: | Bridge Rectifier Single Phase 125V 900mA Through Hole DFM |
| diodi Tyyppi: | Single Phase |
| Kuvaus: | DIODE BRIDGE 0.9A 125V 6DIP |
| Nykyinen - Käänteinen Vuoto @ Vr: | 10µA @ 125V |
| Nykyinen - Keskimääräinen Puhdistettu (Io): | 900mA |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat B80C800DM-E3/45
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
GHXS045A120S-D1 | Global Power Technologies Group | MOD SBD BRIDGE 1200V 45A SOT227 | tiedustelu |
 |
B80C800G-E4/51 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE BRIDGE 0.9A 125V WOG | tiedustelu |
 |
DF202S-G | Comchip Technology | RECTIFIER BRIDGE 2.0A 200V DF | tiedustelu |
 |
CBR1F-040 | Central Semiconductor Corp | RECT BRIDGE 1.5A 400V A CASE | tiedustelu |
 |
GBJ610 | Diodes Incorporated | RECT BRIDGE GPP 1000V 6A GBJ | tiedustelu |
 |
DB152G | GeneSiC Semiconductor | DIODE BRIDGE 100V 1.5A DB | tiedustelu |
 |
APTDR70X1601G | Microsemi Corporation | RECT DIODE MODULE 3PH 1600V SP1 | tiedustelu |
 |
MB102 | Micro Commercial Co | RECTIFIER BRIDGE 10A 200V BR-6 | tiedustelu |
|
KBU1006 | GeneSiC Semiconductor | DIODE BRIDGE 600V 10A KBU | tiedustelu |
 |
VBO30-08NO7 | IXYS | DIODE BRIDGE 35A 800V PWS-A | tiedustelu |
 |
FUE30-12N1 | IXYS | RECT BRIDGE FAST 3PHASE I4-PAC-5 | tiedustelu |
 |
CBRSDSH2-60 TR13 | Central Semiconductor Corp | RECT BRIDGE 2A 60V 4SMDIP | tiedustelu |
|
VBO55-12NO7 | IXYS | DIODE BRIDGE 1200V 55A FO-T-A | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog