BC337-25RL1G
Osa numero:
BC337-25RL1G
Valmistaja:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Kuvaus:
TRANS NPN 45V 0.8A TO-92
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
15162 Pieces
Tietolomake:
BC337-25RL1G.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä BC337-25RL1G, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma BC337-25RL1G sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa BC337-25RL1G BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max):45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:700mV @ 50mA, 500mA
transistori tyyppi:NPN
Toimittaja Device Package:TO-92-3
Sarja:-
Virta - Max:625mW
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Muut nimet:BC337-25RL1G-ND
BC337-25RL1GOSTR
BC33725RL1G
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:BC337-25RL1G
Taajuus - Siirtyminen:210MHz
Laajennettu kuvaus:Bipolar (BJT) Transistor NPN 45V 800mA 210MHz 625mW Through Hole TO-92-3
Kuvaus:TRANS NPN 45V 0.8A TO-92
DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:160 @ 100mA, 1V
Nykyinen - Collector Cutoff (Max):100nA
Nykyinen - Collector (le) (Max):800mA
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit