BC618RL1G
Osa numero:
BC618RL1G
Valmistaja:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Kuvaus:
TRANS NPN DARL 55V 1A TO-92
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
18484 Pieces
Tietolomake:
BC618RL1G.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä BC618RL1G, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma BC618RL1G sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa BC618RL1G BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max):55V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:1.1V @ 200µA, 200mA
transistori tyyppi:NPN - Darlington
Toimittaja Device Package:TO-92-3
Sarja:-
Virta - Max:625mW
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:BC618RL1G
Taajuus - Siirtyminen:150MHz
Laajennettu kuvaus:Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 55V 1A 150MHz 625mW Through Hole TO-92-3
Kuvaus:TRANS NPN DARL 55V 1A TO-92
DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:10000 @ 200mA, 5V
Nykyinen - Collector Cutoff (Max):50nA
Nykyinen - Collector (le) (Max):1A
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit