BC637G
Osa numero:
BC637G
Valmistaja:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Kuvaus:
TRANS NPN 60V 1A TO-92
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
16101 Pieces
Tietolomake:
BC637G.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä BC637G, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma BC637G sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa BC637G BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max):60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:500mV @ 50mA, 500mA
transistori tyyppi:NPN
Toimittaja Device Package:TO-92-3
Sarja:-
Virta - Max:625mW
Pakkaus:Bulk
Pakkaus / Case:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Muut nimet:BC637G-ND
BC637GOS
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:BC637G
Taajuus - Siirtyminen:200MHz
Laajennettu kuvaus:Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 1A 200MHz 625mW Through Hole TO-92-3
Kuvaus:TRANS NPN 60V 1A TO-92
DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:40 @ 150mA, 2V
Nykyinen - Collector Cutoff (Max):100nA (ICBO)
Nykyinen - Collector (le) (Max):1A
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit