BC639ZL1G
Osa numero:
BC639ZL1G
Valmistaja:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Kuvaus:
TRANS NPN 80V 1A TO-92
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
18063 Pieces
Tietolomake:
BC639ZL1G.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä BC639ZL1G, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma BC639ZL1G sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa BC639ZL1G BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max):80V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:500mV @ 50mA, 500mA
transistori tyyppi:NPN
Toimittaja Device Package:TO-92-3
Sarja:-
Virta - Max:625mW
Pakkaus:Cut Tape (CT)
Pakkaus / Case:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Muut nimet:BC639ZL1GOSCT
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:BC639ZL1G
Taajuus - Siirtyminen:200MHz
Laajennettu kuvaus:Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 1A 200MHz 625mW Through Hole TO-92-3
Kuvaus:TRANS NPN 80V 1A TO-92
DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:40 @ 150mA, 2V
Nykyinen - Collector Cutoff (Max):100nA (ICBO)
Nykyinen - Collector (le) (Max):1A
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit