BCR 108 B6327
Osa numero:
BCR 108 B6327
Valmistaja:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Kuvaus:
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
14989 Pieces
Tietolomake:
BCR 108 B6327.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä BCR 108 B6327, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma BCR 108 B6327 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa BCR 108 B6327 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max):50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 500µA, 10mA
transistori tyyppi:NPN - Pre-Biased
Toimittaja Device Package:PG-SOT23-3
Sarja:-
Vastus - Lähetin Base (R2) (ohmia):47k
Vastus - Base (R1) (ohmia):2.2k
Virta - Max:200mW
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Muut nimet:BCR108B6327XT
SP000056348
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:BCR 108 B6327
Taajuus - Siirtyminen:170MHz
Laajennettu kuvaus:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 170MHz 200mW Surface Mount PG-SOT23-3
Kuvaus:TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:70 @ 5mA, 5V
Nykyinen - Collector Cutoff (Max):100nA (ICBO)
Nykyinen - Collector (le) (Max):100mA
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit