Ostaa BCR 112T E6327 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max): | 50V |
---|---|
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 500µA, 10mA |
transistori tyyppi: | NPN - Pre-Biased |
Toimittaja Device Package: | PG-SC-75 |
Sarja: | - |
Vastus - Lähetin Base (R2) (ohmia): | 4.7k |
Vastus - Base (R1) (ohmia): | 4.7k |
Virta - Max: | 250mW |
Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
Pakkaus / Case: | SC-75, SOT-416 |
Muut nimet: | BCR112TE6327XT SP000014126 |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan osanumero: | BCR 112T E6327 |
Taajuus - Siirtyminen: | 140MHz |
Laajennettu kuvaus: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 140MHz 250mW Surface Mount PG-SC-75 |
Kuvaus: | TRANS PREBIAS NPN 250MW SC75 |
DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 20 @ 5mA, 5V |
Nykyinen - Collector Cutoff (Max): | 100nA (ICBO) |
Nykyinen - Collector (le) (Max): | 100mA |
Email: | [email protected] |