Ostaa BCR148WE6327BTSA1 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max): | 50V |
---|---|
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 500µA, 10mA |
transistori tyyppi: | NPN - Pre-Biased |
Toimittaja Device Package: | PG-SOT323-3 |
Sarja: | - |
Vastus - Lähetin Base (R2) (ohmia): | 47k |
Vastus - Base (R1) (ohmia): | 47k |
Virta - Max: | 250mW |
Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
Pakkaus / Case: | SC-70, SOT-323 |
Muut nimet: | BCR 148W E6327 BCR 148W E6327-ND BCR148WE6327 BCR148WE6327XT SP000010783 |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan osanumero: | BCR148WE6327BTSA1 |
Taajuus - Siirtyminen: | 100MHz |
Laajennettu kuvaus: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 100MHz 250mW Surface Mount PG-SOT323-3 |
Kuvaus: | TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3 |
DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 70 @ 5mA, 5V |
Nykyinen - Collector Cutoff (Max): | 100nA (ICBO) |
Nykyinen - Collector (le) (Max): | 100mA |
Email: | [email protected] |