BCR169WE6327HTSA1
BCR169WE6327HTSA1
Osa numero:
BCR169WE6327HTSA1
Valmistaja:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Kuvaus:
TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
12231 Pieces
Tietolomake:
BCR169WE6327HTSA1.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä BCR169WE6327HTSA1, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma BCR169WE6327HTSA1 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa BCR169WE6327HTSA1 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max):50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 500µA, 10mA
transistori tyyppi:PNP - Pre-Biased
Toimittaja Device Package:PG-SOT323-3
Sarja:-
Vastus - Lähetin Base (R2) (ohmia):-
Vastus - Base (R1) (ohmia):4.7k
Virta - Max:250mW
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:SC-70, SOT-323
Muut nimet:BCR 169W E6327
BCR 169W E6327-ND
BCR169WE6327
SP000012271
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:BCR169WE6327HTSA1
Taajuus - Siirtyminen:200MHz
Laajennettu kuvaus:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 250mW Surface Mount PG-SOT323-3
Kuvaus:TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3
DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:120 @ 5mA, 5V
Nykyinen - Collector Cutoff (Max):100nA (ICBO)
Nykyinen - Collector (le) (Max):100mA
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit