BCR183E6433HTMA1
Osa numero:
BCR183E6433HTMA1
Valmistaja:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Kuvaus:
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
18714 Pieces
Tietolomake:
BCR183E6433HTMA1.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä BCR183E6433HTMA1, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma BCR183E6433HTMA1 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa BCR183E6433HTMA1 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max):50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 500µA, 10mA
transistori tyyppi:PNP - Pre-Biased
Toimittaja Device Package:PG-SOT23-3
Sarja:-
Vastus - Lähetin Base (R2) (ohmia):10k
Vastus - Base (R1) (ohmia):10k
Virta - Max:200mW
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Muut nimet:BCR 183 E6433
BCR 183 E6433-ND
BCR183E6433BTMA1
BCR183E6433HTMA1TR-NDTR-ND
BCR183E6433XT
SP000010796
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:BCR183E6433HTMA1
Taajuus - Siirtyminen:200MHz
Laajennettu kuvaus:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount PG-SOT23-3
Kuvaus:TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:30 @ 5mA, 5V
Nykyinen - Collector Cutoff (Max):100nA (ICBO)
Nykyinen - Collector (le) (Max):100mA
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit