BCR22PNE6327BTSA1
BCR22PNE6327BTSA1
Osa numero:
BCR22PNE6327BTSA1
Valmistaja:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Kuvaus:
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
13597 Pieces
Tietolomake:
BCR22PNE6327BTSA1.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä BCR22PNE6327BTSA1, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma BCR22PNE6327BTSA1 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa BCR22PNE6327BTSA1 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max):50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 500µA, 10mA
transistori tyyppi:1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Toimittaja Device Package:PG-SOT363-6
Sarja:-
Vastus - Lähetin Base (R2) (ohmia):22k
Vastus - Base (R1) (ohmia):22k
Virta - Max:250mW
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Muut nimet:BCR 22PN E6327
BCR 22PN E6327-ND
BCR22PNE6327XT
SP000010826
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:BCR22PNE6327BTSA1
Taajuus - Siirtyminen:130MHz
Laajennettu kuvaus:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 130MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
Kuvaus:TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:50 @ 5mA, 5V
Nykyinen - Collector Cutoff (Max):-
Nykyinen - Collector (le) (Max):100mA
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit