BD439G
BD439G
Osa numero:
BD439G
Valmistaja:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Kuvaus:
TRANS NPN 60V 4A TO-225AA
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
17910 Pieces
Tietolomake:
BD439G.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä BD439G, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma BD439G sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa BD439G BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max):60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:800mV @ 300mA, 3A
transistori tyyppi:NPN
Toimittaja Device Package:TO-225AA
Sarja:-
Virta - Max:36W
Pakkaus:Bulk
Pakkaus / Case:TO-225AA, TO-126-3
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:2 Weeks
Valmistajan osanumero:BD439G
Taajuus - Siirtyminen:3MHz
Laajennettu kuvaus:Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 4A 3MHz 36W Through Hole TO-225AA
Kuvaus:TRANS NPN 60V 4A TO-225AA
DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:40 @ 500mA, 1V
Nykyinen - Collector Cutoff (Max):100µA (ICBO)
Nykyinen - Collector (le) (Max):4A
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit