BDV65A-S
BDV65A-S
Osa numero:
BDV65A-S
Valmistaja:
Bourns, Inc.
Kuvaus:
TRANS NPN DARL 80V 12A
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
18630 Pieces
Tietolomake:
BDV65A-S.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä BDV65A-S, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma BDV65A-S sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa BDV65A-S BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max):80V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:2V @ 20mA, 5A
transistori tyyppi:NPN - Darlington
Toimittaja Device Package:SOT-93
Sarja:-
Virta - Max:3.5W
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-218-3
Käyttölämpötila:-65°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:BDV65A-S
Taajuus - Siirtyminen:-
Laajennettu kuvaus:Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80V 12A 3.5W Through Hole SOT-93
Kuvaus:TRANS NPN DARL 80V 12A
DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:1000 @ 5A, 4V
Nykyinen - Collector Cutoff (Max):2mA
Nykyinen - Collector (le) (Max):12A
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit