BDX53B
BDX53B
Osa numero:
BDX53B
Valmistaja:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Kuvaus:
TRANS NPN DARL 80V 8A TO-220AB
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Sisältää lyijy / RoHS-yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
12520 Pieces
Tietolomake:
BDX53B.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä BDX53B, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma BDX53B sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa BDX53B BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max):80V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:2V @ 12mA, 3A
transistori tyyppi:NPN - Darlington
Toimittaja Device Package:TO-220AB
Sarja:-
Virta - Max:65W
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-220-3
Käyttölämpötila:-65°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:BDX53B
Taajuus - Siirtyminen:-
Laajennettu kuvaus:Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80V 8A 65W Through Hole TO-220AB
Kuvaus:TRANS NPN DARL 80V 8A TO-220AB
DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:750 @ 3A, 3V
Nykyinen - Collector Cutoff (Max):500µA
Nykyinen - Collector (le) (Max):8A
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit