Ostaa BF5030WH6327XTSA1 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
BF5030WH6327XTSA1
- Osa numero:
- BF5030WH6327XTSA1
- Kuvaus:
- FET RF 8V 800MHZ SOT343
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 13701 Pieces
- Tietolomake:
- BF5030WH6327XTSA1.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä BF5030WH6327XTSA1, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma BF5030WH6327XTSA1 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Jännite - Testi: | 3V |
|---|---|
| Jännite - Rated: | 8V |
| transistori tyyppi: | N-Channel |
| Toimittaja Device Package: | SOT-343 |
| Sarja: | - |
| Virta - Output: | - |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | SC-82A, SOT-343 |
| Muut nimet: | BF 5030W H6327 BF 5030W H6327-ND SP000753488 |
| Noise Kuva: | 1.3dB |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | BF5030WH6327XTSA1 |
| Saada: | 24dB |
| Taajuus: | 800MHz |
| Laajennettu kuvaus: | RF Mosfet N-Channel 3V 10mA 800MHz 24dB SOT-343 |
| Kuvaus: | FET RF 8V 800MHZ SOT343 |
| Nykyinen arvostelu: | 25mA |
| Nykyinen - Testi: | 10mA |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat BF5030WH6327XTSA1
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
BLF573S,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 110V 27.2DB SOT502B | tiedustelu |
 |
MRFE6VP100HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 133V 512MHZ NI780 | tiedustelu |
 |
BLF25M612,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 19DB SOT975B | tiedustelu |
 |
A2T23H300-24SR6 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS | tiedustelu |
 |
ATF-511P8-BLK | Broadcom Limited | FET RF 7V 2GHZ 8-LPCC | tiedustelu |
 |
PTFA212001EV4R250XTMA1 | Infineon Technologies | FET RF 65V 2.14GHZ H-36260-2 | tiedustelu |
 |
2SK2854(TE12L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET RF N CH 10V 500MA | tiedustelu |
 |
BF5030WE6327HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 8V 25MA SOT-343 | tiedustelu |
 |
BLL6H1214-500,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 100V 17DB SOT539A | tiedustelu |
 |
BLF6G10-45,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT608A | tiedustelu |
 |
PD57060STR-E | STMicroelectronics | FET RF 65V 945MHZ PWRSO-10 | tiedustelu |
|
MRF5S21045MBR1 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 2.17GHZ TO272-4 | tiedustelu |
 |
SLD-1083CZ | RFMD | FET RF 35V 928MHZ RF083 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog